TLC2272QDRG4Q1和TLC2272QDRQ1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2272QDRG4Q1 TLC2272QDRQ1 TLC2272QD

描述 高级LinCMOS轨到-RAIL运算放大器 ADVANCED LINCMOS RAIL-TO -RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨运算放大器 ADVANCED LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSTM轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOSTM RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 2.4 mA 2.4 mA 2.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W 0.725 W -

共模抑制比 70 dB 70 dB -

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 2.18 MHz 2.18 MHz 2.18 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 2.18 MHz 2.18 MHz 2.18 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

增益带宽 - 2.25 MHz 2.25 MHz

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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