IXFT96N20P和IXTH96N20P

对比图

型号 IXFT96N20P IXTH96N20P IXTQ102N20T

描述 N沟道 200V 96AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTH96N20P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 96 A, 200 V, 24 mohm, 10 V, 5 VTO-3P N-CH 200V 102A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-268-2 TO-247-3 TO-3-3

引脚数 3 3 -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 600 W 600 W 750W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) - 96.0 A 102A

输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds) 6800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 750W (Tc)

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.024 Ω -

阈值电压 5 V 5 V -

上升时间 30 ns 30 ns -

下降时间 30 ns 30 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率(Max) 600 W - -

封装 TO-268-2 TO-247-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

香港进出口证 - NLR -