2N6231和JAN2N6385

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6231 JAN2N6385 JANTX2N6385

描述 Bipolar Transistors - BJT PNP TransistorTrans Darlington NPN 80V 10A 6000mW 3Pin(2+Tab) TO-3Trans Darlington NPN 80V 10A 6000mW 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-3 TO-3 TO-3

耗散功率 - 6 W 6 W

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 6000 mW 6000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @5A, 3V -

额定功率(Max) - 6 W -

封装 TO-3 TO-3 TO-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台