对比图
型号 FQB6N60 FQB8N60CTM IRFBC20SPBF
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB8N60CTM, 7.5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 600V, 4.4Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Vishay Intertechnology
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 3 -
封装 D2PAK TO-263-3 -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -
上升时间 - 60.5 ns -
输入电容(Ciss) - 965pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 3.13 W -
下降时间 - 64.5 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 3.13 W -
极性 N-CH - -
连续漏极电流(Ids) 6.2A - -
高度 - 4.83 mm -
封装 D2PAK TO-263-3 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free