对比图
描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13MM, ROHS COMPLIANT, TFBGA-60DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60Pin TFBGA
数据手册 --
制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)
分类 存储芯片存储芯片
引脚数 60 60
封装 TFBGA-60 TFBGA-60
供电电流 120 mA 120 mA
位数 16 16
存取时间(Max) 0.7 ns 0.7 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V
封装 TFBGA-60 TFBGA-60
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 EAR99 EAR99