M29W128GH60ZA6F和M29W128GL60ZA6E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W128GH60ZA6F M29W128GL60ZA6E M29DW128F60ZA6E

描述 Flash, 8KX16, 60ns, PBGA64, 10 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64Flash, 8KX16, 60ns, PBGA64, 10 X 13MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TBGA-64128兆位( 16Mb的X8或X16 8Mb的,多行,页,引导块) 3V供应闪存 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 TBGA TBGA-64 TBGA

封装 TBGA TBGA-64 TBGA

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

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