对比图
型号 BUK9629-100B BUK9629-100B,118
描述 的TrenchMOS ™逻辑电平FET TrenchMOS⑩ logic level FETD2PAK N-CH 100V 46A
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
封装 D2PAK TO-263-3
安装方式 - Surface Mount
极性 N-CH N-CH
耗散功率 157 W 157W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 46A 46A
上升时间 - 86 ns
输入电容(Ciss) - 4360pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 157 W
下降时间 - 46 ns
耗散功率(Max) - 157W (Tc)
封装 D2PAK TO-263-3
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)