148E和BCR148E6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 148E BCR148E6327

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, SiliconSOT-23 NPN 50V 100mA

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - SOT-23

频率 - 100 MHz

额定电压(DC) - 50.0 V

额定电流 - 70.0 mA

极性 - NPN

耗散功率 - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

增益带宽 - 100 MHz

耗散功率(Max) - 200 mW

封装 - SOT-23

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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