对比图
描述 60V,85A,N沟道MOSFET的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
数据手册 --
制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 3
封装 DFN-8 TO-252-3
通道数 - 1
极性 N-CH N-CH
耗散功率 83 W 150 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 85A 90A
上升时间 4 ns 70 ns
输入电容(Ciss) 6370pF @30V(Vds) 10400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.3 W 150 W
下降时间 6.5 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 83W (Tc) 150000 mW
长度 - 6.5 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.3 mm
封装 DFN-8 TO-252-3
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -