IXGN120N60A3D1和IXGN80N60A2D1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGN120N60A3D1 IXGN80N60A2D1

描述 IXGN120N60A3D1 系列 600 V 200 A GENX3 IGBT 表面贴装 - SOT-227BTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 4Pin SOT-227B

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

引脚数 4 -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 595 W 625 W

输入电容(Cies) 14.8nF @25V -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 595000 mW -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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