DS1225AB-70IND+和DS1225AD-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225AB-70IND+ DS1225AD-70IND+ M48Z58-70PC1

描述 非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-70IND+  芯片, 存储器, NVRAMSTMICROELECTRONICS  M48Z58-70PC1  芯片, SRAM, ZEROPOWER? 64K

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 28 28

封装 EDIP-28 EDIP-28 DIP-28

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 28 28 28

时钟频率 - 70.0 GHz 1 MHz

存取时间 70 ns 70 ns 70 ns

内存容量 - 8000 B 8000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.25 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.75 V 4.5 V 4.75 V

电容 - - 10 pF

供电电流 - - 50 mA

存取时间(Max) - - 70 ns

宽度 - 18.29 mm 18.34 mm

封装 EDIP-28 EDIP-28 DIP-28

长度 - - 39.88 mm

高度 - - 8.89 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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