对比图
型号 GT50J301 IRG4PC50WPBF HGTG30N60A4D
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PLINFINEON IRG4PC50WPBF 单晶体管, IGBT, 55 A, 2.3 V, 200 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚HGTG30N60A4系列 600 V 75 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 - 200 W -
针脚数 - 3 3
极性 - N-Channel -
耗散功率 200000 mW 200 W 463 W
输入电容 - 3700 pF -
上升时间 - 33.0 ns -
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V
热阻 - 40 ℃/W -
额定功率(Max) - 200 W 463 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW 463000 mW
反向恢复时间 - - 55 ns
长度 - 15.9 mm -
宽度 - 5.3 mm -
高度 26 mm 20.3 mm -
封装 TO-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99