JAN2N5115和JANTX2N5114

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5115 JANTX2N5114 J270

描述 JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORSJAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORSP沟道开关 P-Channel Switch

数据手册 ---

制造商 Solitron Devices Solitron Devices Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-206 TO-18 TO-226-3

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - -15.0 A

击穿电压 - - -30.0 V

极性 - - P-Channel

耗散功率 - - 350 mW

漏源极电压(Vds) - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 8.50 mA

击穿电压 - - 30 V

额定功率(Max) - - 350 mW

工作温度(Max) - 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 350 mW

高度 - - 5.33 mm

封装 TO-206 TO-18 TO-226-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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