对比图
型号 LM385BD-1.2R2 LM385BD-1.2R2G LM385BDR-1-2
描述 微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference Diodes1.2V电压基准TEXAS INSTRUMENTS LM385BDR-1-2 芯片, 电压基准, 1.235V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)
分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
容差 ±1 % ±1 % ±1 %
无卤素状态 - Halogen Free -
输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V
输出电流 20 mA 20 mA 20 mA
通道数 - 1 1
输出电压(Max) - 1.235 V 1.235 V
输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V
输出电流(Max) - 20 mA 20 mA
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
精度 - ±1 % ±1 %
供电电流 - - 20.0 mA
针脚数 - - 8
长度 5 mm 5 mm 4.9 mm
宽度 4 mm 4 mm 3.91 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.58 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
温度系数 ±80 ppm/℃ ±80 ppm/℃ ±20 ppm/℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 EAR99