对比图
型号 IXTA4N80P IXTP4N80P IXFA3N80
描述 D2PAK N-CH 800V 3.6AIXYS SEMICONDUCTOR IXTP4N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 3 ohm, 10 V, 5.5 VD2PAK N-CH 800V 3.6A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-263-3
引脚数 3 3 -
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 100W (Tc) 100 W 100W (Tc)
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 3.6A 4.00 A 3.6A
输入电容(Ciss) 750pF @25V(Vds) 750pF @25V(Vds) 685pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 100W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 3 Ω -
阈值电压 - 5.5 V -
上升时间 24 ns 24 ns -
反向恢复时间 - 600 ns -
下降时间 29 ns 29 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
通道数 1 - -
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -