1N5945B和BZX85C68-TAP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5945B BZX85C68-TAP 1N5945B3P-TP

描述 SILICON ZENER DIODESDiode Zener Single 68V 6% 1.3W 2Pin DO-41 AmmoDO-41 68V 1.5W

数据手册 ---

制造商 EIC Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 DO-41 DO-41 DO-41

引脚数 2 - -

容差 - ±5 % -

额定功率 - 1.3 W -

耗散功率 - 1300 mW 1.5 W

测试电流 5.5 mA 4 mA -

稳压值 68 V 68 V 68 V

额定功率(Max) - 1.3 W -

耗散功率(Max) - 1300 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Ammo Pack -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -

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