FQI12N60和SPI07N60C3

对比图

型号 FQI12N60 SPI07N60C3 IRFSL9N60APBF

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET新的革命高电压技术，超低栅极电荷 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate chargePower Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, TO-262, 3Pin

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Vishay Intertechnology

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-262 TO-262-3 TO-262

额定电压(DC) - 650 V -

额定电流 - 7.30 A -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 83 W -

漏源极电压(Vds) - 650 V -

连续漏极电流(Ids) - 7.30 A -

上升时间 - 3.5 ns -

输入电容(Ciss) - 790pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 83 W -

下降时间 - 7 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 83000 mW -

长度 - 10.2 mm -

宽度 - 4.5 mm -

高度 - 9.45 mm -

封装 TO-262 TO-262-3 TO-262

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free