对比图
型号 FQD14N15 PHM18NQ15T,518 FQB14N15TM
描述 150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFETHVSON N-CH 150V 19AMOSFET N-CH/150V/14.4A/0.21Ω
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK HVSON-8 TO-263-3
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 10A 19A 14.0 A
额定电压(DC) - - 150 V
额定电流 - - 14.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 210 mΩ
耗散功率 - 62.5W (Tc) 3.75 W
漏源击穿电压 - - 150 V
栅源击穿电压 - - ±25.0 V
上升时间 - - 90 ns
输入电容(Ciss) - 1150pF @25V(Vds) 715pF @25V(Vds)
下降时间 - - 65 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
耗散功率(Max) - 62.5W (Tc) 3.75W (Ta), 104W (Tc)
封装 DPAK HVSON-8 TO-263-3
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)