对比图
描述 TEXAS INSTRUMENTS LM258D 运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, 3V 至 32V, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚硅MONNOLITHIC集成电路 SILICON MONNOLITHIC INTEGRATED CIRCUITON SEMICONDUCTOR LM258DG 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 15.0 V - 5.00 V
无卤素状态 - - Halogen Free
输出电流 30mA @15V - 60 mA
供电电流 1 mA 700 µA 1.5 mA
电路数 2 2 2
通道数 2 - 2
针脚数 8 - 8
共模抑制比 70 dB - 85 dB
带宽 700 kHz - 1 MHz
转换速率 300 mV/μs 300 mV/μs 600 mV/μs
增益频宽积 700 kHz 1.1 MHz 1 MHz
输入补偿电压 3 mV 2 mV 2 mV
输入偏置电流 20 nA 20 nA 45 nA
工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃
工作温度(Min) -25 ℃ - -25 ℃
增益带宽 0.7 MHz 1.1 MHz 1 MHz
共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB
电源电压 - - 3V ~ 32V
电源电压(Max) - - 32 V
电源电压(Min) - - 3 V
输入电压 - - 0V ~ 28.3V
输入补偿漂移 7.00 µV/K - -
耗散功率 - 450 mW -
耗散功率(Max) - 450 mW -
长度 4.9 mm - 5.0038 mm
宽度 3.91 mm - 4 mm
高度 1.58 mm - 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -25℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -25℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99