TLV2620IDBVT和TLV2620IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2620IDBVT TLV2620IDR TLV2620IDBVR

描述 系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低POER宽的带宽单电源运算放大器,带有关断的 FAMILY OF LOW POER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 8 6

封装 SOT-23-6 SOIC-8 SOT-23-6

输出电流 28mA @5V - 28mA @5V

供电电流 800 µA 800 µA 800 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.425 W 0.71 W 425 mW

共模抑制比 78 dB 78 dB 78 dB

输入补偿漂移 3.00 µV/K 3.00 µV/K 3.00 µV/K

带宽 11.0 MHz 11 MHz 11.0 MHz

转换速率 6.00 V/μs 6.00 V/μs 6.00 V/μs

增益频宽积 11 MHz 11 MHz 11 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 250 µV 250 µV 250 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 2 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 11 MHz 11 MHz -

耗散功率(Max) 425 mW 710 mW 425 mW

共模抑制比(Min) 78 dB 78 dB 78 dB

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 2.7 V

封装 SOT-23-6 SOIC-8 SOT-23-6

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.6 mm

高度 - - 1.15 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

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