FQB2N90TM和STD2NK100Z

对比图

型号 FQB2N90TM STD2NK100Z IRFBF20S

描述 Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTMICROELECTRONICS  STD2NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 VPower Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-252-3 -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 7.20 Ω 6.25 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 3.13W (Ta), 85W (Tc) 70 W -

阈值电压 - 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 900 V 1 kV -

上升时间 - 6.5 ns -

输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) 499pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 3.13 W 70 W -

下降时间 - 32.5 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc) 70W (Tc) -

额定电压(DC) 900 V - -

额定电流 2.20 A - -

漏源击穿电压 900 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.20 A - -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -