IXFA4N100P和IXFA4N100Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFA4N100P IXFA4N100Q IXFP4N100P

描述 TO-263AA N-CH 1000V 4AD2PAK N-CH 1000V 4ATO-220AB N-CH 1000V 4A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 150W (Tc) 150 W 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 4A 4A 4A

上升时间 36 ns 15 ns 36 ns

输入电容(Ciss) 1456pF @25V(Vds) 1050pF @25V(Vds) 1456pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 150 W 150 W

下降时间 50 ns 18 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

通道数 1 - -

阈值电压 6 V - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

宽度 10.41 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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