GBPC3510W-G和KBPC3510W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GBPC3510W-G KBPC3510W GBPC3510W

描述 Diode Rectifier Bridge Single 1kV 35A 4Pin Case GBPC-W TrayGENESIC SEMICONDUCTOR KBPC3510W Bridge Rectifier Diode, Single, 1kV, 35A, KBPC, 1.1V, 4PinsBridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBPC-W, 4Pin

数据手册 ---

制造商 Comchip Technology (上华科技) GeneSiC Semiconductor Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 4 4 4

封装 GBPC-W Square-4 GBPC-W

正向电压 1.1V @17.5A 1.1V @17.5A 1.1V @17.5A

正向电流 - 35 A 35 A

正向电压(Max) - 1.1 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

最大正向浪涌电流(Ifsm) 400 A - 400 A

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

高度 - 8.1 mm 8 mm

封装 GBPC-W Square-4 GBPC-W

长度 - - 29 mm

宽度 - - 29 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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