对比图
型号 HUF75639G3 IXTH75N10 IXFH80N10Q
描述 UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。IXYS SEMICONDUCTOR IXTH75N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 VTO-247AD N-CH 100V 80A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 56.0 A 75.0 A 80.0 A
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 0.025 Ω 0.02 Ω 15.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200 W 300 W 360 W
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 - 4.50 nF -
栅电荷 - 260 nC -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 56.0 A 75.0 A 80.0 A
输入电容(Ciss) 2000pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 300 W 360 W
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
耗散功率(Max) 200W (Tc) 300W (Tc) 360W (Tc)
上升时间 60 ns - 70.0 ns
漏源击穿电压 20.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
下降时间 25 ns - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 15.87 mm - -
宽度 4.82 mm - -
高度 20.82 mm - -
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -