JANTX1N755A-1和JANTXV1N755A-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N755A-1 JANTXV1N755A-1 1N755ARR1G

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESZener Diode, 7.5V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional,DO-35 7.5V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) M/A-Com ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.1 V 1.4V @1A -

耗散功率 500 mW - 500 mW

测试电流 20 mA - -

稳压值 7.5 V 7.5 V 7.5 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Bag - -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 - -

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