AUIRF4905L和IRF4905L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF4905L IRF4905L IRF4905LPBF

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。TO-262P-CH 55V 74AINFINEON  IRF4905LPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 74 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-262 TO-262 TO-262-3

额定功率 - - 200 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.02 Ω

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 170 W 200 W 200 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 3500 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 55.0 V 55 V

漏源击穿电压 - -55.0 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 74A 74.0 A 70A

上升时间 - 99 ns 99 ns

输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) - 3500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 170 W

下降时间 - 96 ns 64 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 200W (Tc) - 170W (Tc)

额定电压(DC) - -55.0 V -

额定电流 - -74.0 A -

产品系列 - IRF4905L -

长度 10.67 mm - 10.2 mm

宽度 4.83 mm - 4.5 mm

高度 9.65 mm - 10.54 mm

封装 TO-262 TO-262 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Rail, Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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