对比图
型号 IRF630NSTRLPBF IRF630STRLPBF STB19NF20
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R功率MOSFET Power MOSFETSTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 - - 1
耗散功率 82 W 3 W 90 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
上升时间 14.0 ns 28 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 82 W - 90 W
下降时间 - 20 ns 11 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 3W (Ta), 74W (Tc) 90W (Tc)
漏源极电阻 - 400 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 9.30 A 9.00 A -
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 9.30 A - -
产品系列 IRF630NS - -
漏源击穿电压 200 V - -
长度 - - 10.75 mm
宽度 - - 10.4 mm
高度 - - 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99