J110A和PMBFJ109,215

对比图

型号 J110A PMBFJ109,215 PMBFJ109

描述 N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorNXP  PMBFJ109,215.  射频场效应管, JFET, N沟道, 25V, 40mA, 3-SOT-23N沟道FET的结 N-channel junction FETs

数据手册 ---

制造商 InterFET NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SOT-23-3 SOT-23

引脚数 - 3 -

封装 - SOT-23-3 SOT-23

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

额定功率 - 250 mW -

击穿电压 - -25.0 V -

漏源极电阻 - 12 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 250 mW -

漏源极电压(Vds) - 25 V -

击穿电压 - 25 V -

输入电容(Ciss) - 30pF @10V(Vgs) -

额定功率(Max) - 250 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -