对比图
型号 ADR425BRZ-REEL7 ADR435ARZ-REEL7 ADR425BR-REEL7
描述 超精密，低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability超精密低噪声， 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
数据手册 ---
制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)
分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
容差 ±0.04 % ±0.12 % ±0.04 %
输入电压(DC) 18.0V (max) 18.0V (max) 18.0V (max)
输出电压 5 V 5 V 5 V
输出电流 10 mA 30 mA 10 mA
供电电流 600 µA 800 µA 600 µA
通道数 1 1 1
输入电压(Max) 18 V 20 V 18 V
输出电压(Max) 5 V 5 V -
输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V
输出电流(Max) 10 mA 30 mA 10 mA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
精度 ±0.04 % ±0.12 % ±0.04 %
输入电压 7V ~ 18V 7V ~ 18V 7V ~ 18V
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)
温度系数 ±3 ppm/℃ ±10 ppm/℃ ±3 ppm/℃
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 NLR - -