IPD50N06S214ATMA1和IPD50N06S214ATMA2

对比图

型号 IPD50N06S214ATMA1 IPD50N06S214ATMA2 SPB47N10

描述 DPAK N-CH 55V 50AN-CH 55V 50APower Field-Effect Transistor, 47A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 136W (Tc) 136W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 50A 50A -

上升时间 - 29 ns -

输入电容(Ciss) 1485pF @25V(Vds) 1485pF @25V(Vds) -

下降时间 - 19 ns -

耗散功率(Max) 136W (Tc) 136W (Tc) -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -