L6384和L6384D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6384 L6384D L6384D013TR

描述 HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVERHIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVER门驱动器 Hi-Volt Half Bridge

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SO-8 SO-8

电源电压(DC) 16.6V (max) 16.6V (max) 14.4V (min)

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 580 V 580 V -

输出电流 650 mA 650 mA 650 mA

耗散功率 750 mW 750 mW 750 mW

上升时间 - 70 ns 70 ns

下降时间 - 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 70 ns 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 45 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 14.6V ~ 16.6V 14.6V ~ 16.6V 14.6V ~ 16.6V

电源电压(Max) - 16.6 V 16.6 V

电源电压(Min) - 8 V 8 V

通道数 - - 1

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.25 mm 1.25 mm

封装 DIP-8 SO-8 SO-8

工作温度 -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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