对比图
型号 IPB035N08N3G IPB035N08N3GATMA1
描述 Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3Pin(2+Tab) TO-263Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB035N08N3GATMA1, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 D2PAK-263 TO-263-3
引脚数 - 3
耗散功率 214 W 214 W
额定功率 - 214 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.0028 Ω
极性 - N-CH
阈值电压 - 2.8 V
漏源极电压(Vds) - 80 V
连续漏极电流(Ids) - 100A
上升时间 - 79 ns
输入电容(Ciss) - 6100pF @40V(Vds)
下降时间 - 14 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 214 W
封装 D2PAK-263 TO-263-3
长度 - 10.31 mm
宽度 - 9.45 mm
高度 - 4.57 mm
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃