2N5401RLRAG和MMBT5401LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5401RLRAG MMBT5401LT1G 2N5401-AP

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N5401RLRAG  双极性晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBT5401LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 150V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 SOT-23-3 TO-226-3

频率 300 MHz 300 MHz -

额定电压(DC) -150 V -150 V -

额定电流 -600 mA -500 mA -

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 625 mW 225 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.5A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V 60 @10mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 300 mW 1.5 W

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 300 mW 1.5 W

增益频宽积 300 MHz - -

长度 5.2 mm 2.9 mm 4.7 mm

宽度 4.19 mm 1.3 mm 3.68 mm

高度 5.33 mm 0.94 mm 4.7 mm

封装 TO-92-3 SOT-23-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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