IS42RM16800G-6BLI-TR和IS42RM16800H-6BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42RM16800G-6BLI-TR IS42RM16800H-6BLI-TR

描述 IC SDRAM 128Mbit 166MHz 54BGA128m, 2.5V, Mobile Sdram, 8mx16, 166MHz, 54 Ball Bga (8mmx8mm) Rohs, It

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TFBGA-54 BGA-54

安装方式 - Surface Mount

电源电压 2.3V ~ 2.7V 2.3V ~ 2.7V

存取时间 - 5.5 ns

封装 TFBGA-54 BGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台