对比图
型号 SSTA28T116 UMB4NTN NTE123
描述 ROHM SSTA28T116 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 200 mW, 100 mA, 10000 hFEPNP -100mA -50V复杂的数字晶体管 PNP -100mA -50V Complex Digital TransistorsNTE ELECTRONICS NTE123 双极性晶体管, NPN, 40V, TO-39
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 6 3
封装 SOT-23-3 SOT-323-6 TO-39
额定电压(DC) 80.0 V -50.0 V -
额定电流 300 mA -100 mA -
额定功率 0.2 W 0.15 W -
极性 NPN PNP NPN
耗散功率 200 mW 150 mW 800 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 50 V 40.0V (min)
集电极最大允许电流 0.3A 100mA 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) 10000 @100mA, 5V 100 @1mA, 5V -
额定功率(Max) 200 mW 150 mW -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
增益带宽 200 MHz 250 MHz -
耗散功率(Max) 200 mW 150 mW 800 mW
频率 - - 300 MHz
集电极击穿电压 - - 75.0 V (min)
直流电流增益(hFE) 10000 - 35
针脚数 3 - -
最大电流放大倍数(hFE) 10000 - -
长度 2.9 mm 2 mm -
宽度 1.3 mm 1.25 mm -
高度 0.95 mm 0.9 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-323-6 TO-39
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 200℃
材质 - - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2014/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - - EAR99
HTS代码 - - 85412100959