JANS2N5667和JANTXV2N5667

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N5667 JANTXV2N5667 JAN2N5667

描述 NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORNPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORNPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 2

封装 TO-5 TO-5 TO-5

极性 NPN - -

耗散功率 1.2 W 1.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 5A - -

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 5V 25 @1A, 5V 25 @1A, 5V

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W 1.2 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1200 mW 1200 mW -

封装 TO-5 TO-5 TO-5

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bag Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

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