TLC2652AI-8D和TLC2652M-8D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2652AI-8D TLC2652M-8D TLC2652C-8D

描述 Texas Instruments高级LinCMOSE精密斩波稳定运算放大器 Advanced LinCMOSE PRECISION CHOPPER-STABILIZED OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSE精密斩波稳定运算放大器 Advanced LinCMOSE PRECISION CHOPPER-STABILIZED OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤50 mA ≤50 mA ≤50 mA

供电电流 1.5 mA 1.5 mA 1.5 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比 120 dB 120 dB -

输入补偿漂移 10.0 nV/K - 10.0 nV/K

带宽 1.90 MHz 1.90 MHz 1.90 MHz

转换速率 2.80 V/μs 3.10 V/μs 2.80 V/μs

增益频宽积 1.9 MHz 1.9 MHz 1.9 MHz

输入补偿电压 0.5 µV 0.6 µV 0.6 µV

输入偏置电流 4 pA 4 pA 4 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ 0 ℃

增益带宽 1.9 MHz 1.9 MHz 1.9 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 120 dB 120 dB 120 dB

电源电压(Max) - 16 V -

电源电压(Min) - 3.8 V -

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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