70T3339S200BCG和70T633S10BCGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3339S200BCG 70T633S10BCGI 70T3339S133BCI

描述 静态随机存取存储器 512K X 18 DP512K x 18, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's静态随机存取存储器 512K X 18 DP

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 256 256 256

封装 CABGA-256 CABGA-256 CABGA-256

安装方式 - Surface Mount -

存取时间 3.4 ns 10 ns 4.2 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V

电源电压(Max) - 2.6 V -

电源电压(Min) - 2.4 V -

长度 17 mm 17 mm 17 mm

宽度 17 mm 17 mm 17 mm

高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm

封装 CABGA-256 CABGA-256 CABGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

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