IXTA05N100HV和IXTU05N100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA05N100HV IXTU05N100 IXTA05N100

描述 Mosfet n-Ch 1kV 750mA To263Mosfet n-Ch 1000V 750mA To-251Trans MOSFET N-CH 1kV 0.75A 3Pin(2+Tab) TO-263AA

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-263-3

耗散功率 40W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

上升时间 19 ns - 19 ns

输入电容(Ciss) 260pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 40 W

下降时间 28 ns - 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-263-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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