IDT71V124SA20YG和IDT71V124SA20YGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V124SA20YG IDT71V124SA20YGI AS7C31024B-20JCN

描述 IC SRAM 1Mbit 20NS 32SOJIC SRAM 1Mbit 20NS 32SOJ静态随机存取存储器 1M, 3.3V, 20ns, FAST 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BSOJ-32 BSOJ-32 BSOJ-32

安装方式 - - Surface Mount

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

工作电压 - - 3V ~ 3.6V

存取时间 - - 20 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

封装 BSOJ-32 BSOJ-32 BSOJ-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 3A991 3A991 -

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