FQD2N100和FQD2N100TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD2N100 FQD2N100TM FQD2N100TF

描述 1000V N沟道MOSFET 1000V N-Channel MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N100TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 1kV 1.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 1.6A 1.60 mA 1.60 A

额定电压(DC) - 900 V 900 V

额定电流 - 1.60 A 1.60 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - 7.1 Ω 7.1 Ω

耗散功率 - 50 W 2.5 W

漏源击穿电压 - 1.00 kV 1000 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

上升时间 - 30 ns 30 ns

输入电容(Ciss) - 520pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)

下降时间 - 35 ns 35 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 5 V -

额定功率(Max) - 2.5 W -

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm 6.73 mm

宽度 - 6.1 mm 6.22 mm

高度 - 2.3 mm 2.39 mm

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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