BYM11-800HE3/97和BYM11-1000-E3/97

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BYM11-800HE3/97 BYM11-1000-E3/97 RGL41M-E3

描述 Diode Switching 800V 1A 2Pin DO-213AB T/R1A,Vishay Semiconductor采用工业标准封装类型的多用途、高效快速恢复功率二极管。薄型,高度为 1mm 雪崩整流器 ### 二极管和整流器,Vishay SemiconductorDIODE 1A, 1000V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2, Signal Diode

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

封装 DO-213AB DO-213AB DO-213AB

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 2 -

封装 DO-213AB DO-213AB DO-213AB

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 2.67 mm -

高度 - 2.67 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

正向电压 1.3V @1A 1.3V @1A -

反向恢复时间 500 ns 500 ns -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 30 A -

正向电压(Max) 1.3V @1A 1.3V @1A -

正向电流(Max) - 1 A -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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