对比图
描述 MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDIP沟道 30V 8.6A
数据手册 --
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8
通道数 1 -
漏源极电阻 25 mΩ -
极性 P-CH P-CH
耗散功率 900mW (Ta) 2.2 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V -
连续漏极电流(Ids) 8.6A 8.6A
上升时间 8.5 ns 8.5 ns
输入电容(Ciss) 2230pF @15V(Vds) 2230pF @15V(Vds)
下降时间 40 ns 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2200 mW 2200 mW
输入电容 - 2230 pF
额定功率(Max) - 900 mW
封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8
长度 - 3.35 mm
产品生命周期 Active Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
香港进出口证 NLR -
ECCN代码 - EAR99
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)