对比图
型号 IXFH26N50Q STW20NM50FD IXFH26N50
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50Q 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4.5 VSTMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 26.0 A 20.0 A 26.0 A
额定功率 - - 300 W
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.2 Ω 0.25 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 214 W 300 W
阈值电压 4.5 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 20.0 A 26.0 A
上升时间 30 ns 20 ns 33 ns
输入电容(Ciss) 3900pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 4200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 214 W 300 W
下降时间 16 ns 15 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 214W (Tc) 300W (Tc)
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 16.26 mm 15.75 mm 16.26 mm
宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.3 mm
高度 21.46 mm 20.15 mm 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
重量 6.00 g - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - NLR -