对比图
描述 200V,24A,N沟道MOSFETSTMICROELECTRONICS STD20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 200 V
额定电流 - 18.0 A
额定功率 - 110 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 78 mΩ 0.125 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 144 W 90 W
阈值电压 5 V 3 V
输入电容 1710pF @50V 940 pF
栅电荷 - 28.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
漏源击穿电压 - 200 V
连续漏极电流(Ids) 24.0 A 18.0 A
上升时间 - 30 ns
正向电压(Max) - 1.6 V
输入电容(Ciss) 1710pF @50V(Vds) 940pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 144 W 90 W
下降时间 - 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 110W (Tc)
产品系列 IRFR4620 -
长度 10.41 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 -
ECCN代码 - EAR99
香港进出口证 NLR -