BCP56-10和BCP56-16E6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56-10 BCP56-16E6327 BCP56-10,115

描述 NXP  BCP56-10  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE用于AF的驱动级和输出级 For AF driver and output stagesNXP  BCP56-10,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

针脚数 4 - 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 640 mW - 640 mW

直流电流增益(hFE) 63 - 63

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

频率 - - 180 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 63 @150mA, 2V

额定功率(Max) - - 960 mW

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 960 mW

额定电压(DC) - 80.0 V -

额定电流 - 1.00 A -

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

长度 - - 6.7 mm

宽度 - - 3.7 mm

高度 - - 1.7 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - - 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

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