对比图
型号 11058 IXFN20N120P
描述 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1100V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4Trans MOSFET N-CH 1.2kV 20A 4Pin SOT-227B
数据手册 --
制造商 Advanced Power Technology IXYS Semiconductor
分类 MOS管
安装方式 - Chassis
引脚数 - 4
封装 - SOT-227-4
耗散功率 - 595W (Tc)
漏源极电压(Vds) - 1200 V
上升时间 - 45 ns
输入电容(Ciss) - 11100pF @25V(Vds)
下降时间 - 70 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 595W (Tc)
封装 - SOT-227-4
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free