MMBZ18VALT1G和MMBZ20VALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ18VALT1G MMBZ20VALT1G SZMMBZ18VALT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBZ18VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 引脚On Semiconductor共阳配置中的双表面安装瞬态电压抑制器 特别适用于自动插入 低泄漏TVS二极管, SZMMBZxxxALT1G Series, 单向, 14.5 V, 25 V, SOT-23, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 18.0 V 20.0 V -

额定电流 - 1 A -

额定功率 40.0 W 40.0 W -

击穿电压 17.1 V 20 V 18 V

通道数 2 2 -

针脚数 3 3 3

耗散功率 0.3 W 40 W 40 W

钳位电压 25 V 28 V 25 V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 18.9 V 21 V 18.9 V

脉冲峰值功率 40 W 40 W 40 W

最小反向击穿电压 17.1 V 19 V 17.1 V

击穿电压 17.1 V 19 V 17.1 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

工作电压 - - 14.5 V

正向电压 0.9 V - -

长度 3.04 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.40 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 1.01 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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