对比图
型号 TLV2252QDG4 TLV2252QDREP TLV2252QD
描述 高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS中晚期原发性肝癌LinCMOSâ ?? ¢ RAIL- TO -RAIL极低功耗OPERATIOPNAL放大器 Advanved LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL VERY-LOW-POWER OPERATIOPNAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
供电电流 70 µA 70 µA 70 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K
带宽 187 kHz 187 kHz 187 kHz
转换速率 100 mV/μs 100 mV/μs 120 mV/μs
增益频宽积 200 kHz 200 kHz 200 kHz
输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV
输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA
增益带宽 - 0.2 MHz 200 kHz
输出电流 - ≤50 mA -
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
耗散功率(Max) - 725 mW -
共模抑制比(Min) - 70 dB -
耗散功率 725 mW - -
共模抑制比 65 dB - -
电源电压(Max) 8 V - -
电源电压(Min) 2.7 V - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm - -
宽度 3.91 mm - -
高度 1.58 mm - -
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free