LM833DR2G和LM833NG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM833DR2G LM833NG LM833DR2

描述 LM 系列 7 V/us 18 V 表面贴装 低噪声 音频 双通道 运算放大器 - SOIC-8LM833、低噪声、双运算放大器,用于音频,ON Semiconductor低电压噪声:4.5 nV/√Hz 高增益带宽产品:15 MHz 高转换速率:7.0 V/μs 低输入偏置电压:0.3 mV ### 运算放大器,ON Semiconductor低噪声,音频双路运算放大器 Low Noise, Audio Dual Operational Amplifier

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 运算放大器音频放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

供电电流 4 mA 4 mA 4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 500 mW 0.5 W 500 mW

共模抑制比 80 dB 80 dB -

转换速率 7.00 V/μs 7.00 V/μs 400 mV/μs

增益频宽积 15 MHz 15 MHz 15 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 300 nA 300 nA 300 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 15 MHz 15 MHz 15 MHz

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

共模抑制比(Min) 80 dB 80 dB 80 dB

电源电压(DC) - 36.0 V -

针脚数 - 8 -

静态电流 - 4.00 mA -

带宽 - 15.0 MHz -

电源电压(Max) - 36 V -

电源电压(Min) - 10 V -

长度 5 mm 10.16 mm 5 mm

宽度 4 mm 6.6 mm 4 mm

高度 1.5 mm 3.44 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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